А.М.Вишневский, А.А.Голубев, А.М.Козодаев, М.А.Козодаев, Ю.Г.Орлов, А.Л.Суворов, А.Д.Фертман, Б.Ю.Шарков (ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия), М.И.Кулиш, В.Б.Минцев, В.Е.Фортов (Институт химической физики РАН, Черноголовка, Россия)
	ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПРОТОННОГО ПУЧКА НАЧАЛЬНОЙ ЧАСТИ УСКОРИТЕЛЯ ИСТРА-36 ДЛЯ ФИЗИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Пучок сооружаемого в ИТЭФ протонного ускорителя ИСТРА-36 будет использоваться для управления подкритическим бланкетом, наработки эмиттеров для позитронной томографии, производства КЖР и УКЖР, облучения материалов и изделий. На сегодня во временном помещении уже действует начальная часть ускорителя~--- секция КАЙ с выходной энергией 3~МэВ. Ведутся работы по изучению и оптимизации режима ускорения. Одновременно, совместно с этими работами, пучок используется для физических исследований. В физике высоких плотностей энергии велик интерес к процессу взаимодействия потоков протонов с неидеальной плазмой при плотности свободных электронов $10^9$~см$^{-3}$ и выше. Проведенные эксперименты по зондированию такой плазмы протонным пучком с энергией 3~МэВ выявили возможность использования указанного пучка для диагностики плотной плазмы. Для продвижения в область более высоких плотностей решено использовать плазменную мишень, получаемую с помощью взрывной техники, позволяющей получать плазму с концентрацией свободных электронов до $10^{22}$~см$^{-3}$. В настоящее время на базе начальной части ускорителя ИСТРА-36 и взрывного генератора плазмы создана опытная установка для протонного зондирования высокоплотной плазмы, ведутся эксперименты. Другое направление исследований относится к физике поверхности твердого тела и касается изучения радиационных дефектов на поверхности пиролитического графита. Образцы графита облучались потоками протонов с энергией 3~МэВ и 90~кэВ нормально и под углом $45^0$ к поверхности при флюенсах $10^{14}$~протон/см$^2$. Последующее исследование образцов с помощью сканирующего туннельного микроскопа позволяло выявить и визуализировать образовавшиеся дефекты на участках поверхности площадью $<0,5$~мкм$^2$. Наибольшая высота дефектов рельефа поверхности после облучения достигала нескольких десятков нанометров при исходных величинах 1-2~нм. Приводятся сканы поверхностей до и после облучения

	ZIPped PostScript			PDF

Конференция 98

Команда поддержки