ИФВЭ 2001 - 42
	С.Н. Головня, С.А. Горохов, Ю.В. Роднов, Ю.П. Цюпа
	Установка для измерения параметров арсенид-галлиевых полупроводниковых детекторов
	Протвино, 2001.-7 с.,9 рис.,1 табл., библиогр.:12.

Описана установка для измерения параметров арсенид-галлиевых полупроводниковых детекторов со следующими основными параметрами:

• измеряемые токи - от 10 пА до 650 нА;
• измеряемые емкости - от 0,1 до 2500 пФ;
• частота модуляции - от 20 Гц до 6 МГц;
• напряжение смещения - от 1000 В до +1000 В;
• температура детектора - от +60 до -20 0 С.

	ZIPped PostScript			PDF

Список препринтов 2001

Команда поддержки