|
ИФВЭ 2003 - 24
| |
|---|---|---|
| Е.М. Болдырев А.М. Губочкин | ||
| Математическая модель транспорта носителей зарядов в арсенидгаллиевом (GaAs) детекторе | ||
| Протвино, 2003.-8 с.,18 рис., библиогр.:3. | ||
Проводится моделирование процесса переноса неравновесных носителей зарядов, образовавшихся в результате взаимодействия g-кванта с телом детектора на основе арсенида галлия (GaAs). Математиче-ская модель поставленной задачи представлена системой неоднородных дифференциальных уравнений с начальными и граничными условиями. Решение задачи находилось при помощи итерационного метода. Полученные решения даются графическими зависимостями концентраций носителей заряда и электриче-ского поля в полупроводнике от пространственной координаты, времени, координаты точки взаимодей-ствия g-кванта с веществом детектора, приложенного электрического поля и эффекта ловушек.
 |
ZIPped PostScript | |
|---|
Список препринтов 2003
|
Команда поддержки
|
