Эмблема ИФВЭ
ИФВЭ 2004 - 03 (на английском языке)
В.А.Батарин, А.Н.Васильев, А.М.Давыденко,А.А.Деревщиков, Ю.М.Гончаренко, В.Н.Гришин, В.А.Качанов, А.С.Константинов, В.И.Кравцов, В.С.Луканин, Ю.А.Матуленко, В.А.Медведев, Ю.М.Мельник, А.П.Мещанин, Н.Е.Михалин, Н.Г.Минаев, В.В.Мочалов, Д.А.Морозов, Л.В.Ногач, А.В.Рязанцев, П.А.Семенов, В.К.Семенов, К.Е.Шестерманов, Л.Ф.Соловьев, А.В.Узунян, В.Ю.Ходырев, А.Е.Якутин (ГНЦ ИФВЭ, Протвино, Россия), J.Butler, J.Yarba (Fermilab, Batavia, USA), T.Y.Chen (Nanjing University, Nanjing, China), Y.Kubota (University of Minnesota, Minneapolis, USA), S.Stone (Syracuse University, Syracuse, USA)
Сравнение радиационной стойкости кристаллов вольфрамата свинца под действием пионного и гамма-излучений
Протвино, 2004.– 9 с., 8 рис., 1 табл., библиогр.: 9.


Исследования радиационной стойкости кристаллов вольфрамата свинца, произведенных Богородицким техно-химическим заводом (Россия) и Шанхайским институтом керамики (Китай), проведены в ИФВЭ (Протвино). Кристаллы были облучены пучком пионов с энергией 40 ГэВ. Эти же кристаллы после полного восстановления подверглись гамма-облучению радиоактивним источником $^{137}Cs$. Профили мощности дозы по длине кристалла были одинаковы в обоих случаях. В работе сравнивается влияние двух видов облучения на величину светосбора с кристаллов.


ZIPped PostScript PDF

Список препринтов 2004 Команда поддержки